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[GB/T 13387-2009] 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm 的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认,预期..
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[GB/T 13388-2009] 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
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发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在..
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[GB/T 14141-2009] 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15..
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[GB/T 14144-2009] 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶中..
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[GB/T 14146-2009] 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测..
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[GB/T 1551-2009] 硅单晶电阻率测定方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点..
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[GB/T 1553-2009] 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中..
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[GB/T 1554-2009] 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为、或、电阻率为10-3 Ω·cm..
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[GB/T 1555-2009] 半导体单晶晶向测定方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于..
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[GB/T 1558-2009] 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻..
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[GB/T 24574-2009] 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的..
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[GB/T 24575-2009] 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法..
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[GB/T 24576-2009] 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。本方法适用..
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[GB/T 24577-2009] 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。
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[GB/T 24578-2009] 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法[已作废]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光..
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[GB/T 24579-2009] 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分..
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[GB/T 24580-2009] 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重..
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[GB/T 24581-2009] 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga..
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[GB/T 24582-2009] 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕..
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