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[GB/T 4058-2009] 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强..
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[GB/T 4061-2009] 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。本..
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[GB/T 6616-2009] 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25..
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[GB/T 6617-2009] 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和..
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[GB/T 6618-2009] 硅片厚度和总厚度变化测试方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法..
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[GB/T 6619-2009] 硅片弯曲度测试方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了硅单晶切割片?研磨片?抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法?本标准适用于测量直径..
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[GB/T 6621-2009] 硅片表面平整度测试方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适..
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[GB/T 6624-2009] 硅抛光片表面质量目测检验方法[现行]
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验单晶抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。本标准适用于硅抛..
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[YS/T 679-2008] 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法[已作废]
发布时间：2008-03-12
实施时间：2008-09-01
本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子..
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[GB/T 14264-1993] 半导体材料术语[已作废]
发布时间：1993-03-20
实施时间：1993-01-02
本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于素和..
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[GB/T 14844-1993] 半导体材料牌号表示方法[已作废]
发布时间：1993-01-02
实施时间：1994-09-01
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。本标准适用于编制半导体材料的牌号。
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[YS/T 23-1992] 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法[已作废]
发布时间：1992-03-09
实施时间：1993-01-01
本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法本标 准 适 用于在,tloo>和(110)..
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[YS/T 24-1992] 外延钉缺陷的检验方法[已作废]
发布时间：1992-03-09
实施时间：1993-01-01
本标 准 规 定了外延钉缺陷的检验方法本标 准 适 用于任何直径与晶向的硅外延片上高度不小于4,u ..
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