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硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法现行

Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

标准号：GB/T 1554-2009

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基本信息

标准号：GB/T 1554-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1979-05-26

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：何兰英、王炎、张辉坚、刘阳

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为、或、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

标准摘要

本标准代替GB/T1554-1995《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》。
本标准与GB/T1554-1995相比,主要有如下变化:
---增加了本方法也适用于硅单晶片;
---增加了术语和定义、干扰因素章;
---第4章最后一句将用肉眼和金相显微镜进行观察修改为用目视法结合金相显微镜进行观察;
---将原标准中表1四种常用化学抛光液配方删除,对化学抛光液配比进行了修改,删除了乙酸配方;并将各种试剂和材料的含量修改为等级;增加了重量比分别为50%CrO3 和10%CrO3标准溶液的配比;增加了晶体缺陷显示常用的腐蚀剂对比表;依据SEMIMF18090704 增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;
---第9章将原GB/T1554-1995中(111)面缺陷显示中电阻率不小于0.2Ω·cm 的试样腐蚀时间改为了10min~15min;(100)面缺陷显示中电阻率不小于0.2Ω·cm 的试样和电阻率小于0.2Ω·cm 的试样腐蚀时间全部改为10min~15min;增加了(110)面缺陷显示;增加了对重掺试样的缺陷显示;在缺陷观测的测点选取中增加了米字型测量方法。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1554-1979、GB/T1554-1995。
---GB4057-1983。

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