重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法现行

Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

标准号：GB/T 24580-2009

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基本信息

标准号：GB/T 24580-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：2009-10-30

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：马农农、何友琴、丁丽

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。1.2 本标准适用于对锑?砷?磷的掺杂浓度<0.2%(1×1020atoms/cm3)的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于硼为非故意掺杂的p 型杂质,且其浓度为痕量水平(<5×1014 atoms/cm3)的硅材料的测试。本标准适用于检测硼沾污浓度大于SIMS 仪器检测限(根据仪器的型号不同,检测限大约在5×1012atoms/cm3~5×1013atoms/cm3)两倍的硅材料。

标准摘要

本标准修改采用SEMIMF15281104《用二次离子质谱法测量重搀杂N 型硅衬底中的硼污染的方
法》。本标准对SEMIMF15281104格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B 中列出了
本标准章条和SEMIMF15281104章条对照一览表。并对SEMIMF15281104条款的修改处用垂直
单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF15281104相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的?关键词;
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A 。
本标准附录A 和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:马农农、何友琴、丁丽。

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