酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 现行
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
标准号：GB/T 24582-2009
基本信息
标准号：GB/T 24582-2009
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
首发日期：2009-10-30
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位：新光硅业科技责任有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
标准简介
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,故根据样品重量计算结果,使用的样品重量为50g~300g,检测限为0.01ng/mL。
标准摘要
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本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准负责起草单位:新光硅业科技责任有限公司。 本标准主要起草人:王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平。 |
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