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硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
标准号:GB/T 24578-2009
基本信息
标准号:GB/T 24578-2009
发布时间:2009-10-30
实施时间:2010-06-01
首发日期:2009-10-30
出版单位:中国标准出版社查看详情>
起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义
作废日期:2017-01-01
出版机构:中国标准出版社
标准分类: 半金属与半导体材料综合
ICS分类:半导体材料
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
标准简介
本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。
标准摘要
本标准的附录A 为规范性附录,附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司。 本标准主要起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义。 |
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