硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 现行
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准号：GB/T 14141-2009
基本信息
标准号：GB/T 14141-2009
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
首发日期：1993-02-06
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)
起草单位：宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
标准摘要
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本标准代替GB/T14141-1993《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。 本标准与GB/T14141-1993相比,主要有如下改动: ---修改了被测薄层电阻的最小直径(由10.0 mm 改为15.9 mm)、薄层电阻阻值的测量范围及精度; ---增加了规范性引用文件; ---增加了引入与试样几何形状有关的修正因子计算薄层电阻; ---增加了干扰因素; ---删除了三氯乙烯试剂; ---修改了薄层电阻范围,增加了直流输入阻抗不小于109 Ω; ---删除了三氯乙烯漂洗; ---修改仲裁测量探针间距,由1mm 改为1.59mm; ---增加了修正因子和温度修正系数表格。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。 本标准主要起草人:李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ---GB/T14141-1993。 |
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