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半导体单晶晶向测定方法现行

Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

标准号：GB/T 1555-2009

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基本信息

标准号：GB/T 1555-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1979-05-26

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：杨旭、何兰英

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

标准摘要

本标准代替GB/T1555-1997《半导体单晶晶向测定方法》。
本标准与GB/T1555-1997相比,主要有如下变化:
---增加了术语章;
---增加了干扰因素章;
---将原标准定向推荐腐蚀工艺中硅的腐蚀时间5min改为硅的腐蚀时间3min~5min。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、何兰英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;
---GB/T1555-1997。

替代情况

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