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硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法现行

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

标准号：GB/T 1553-2009

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基本信息

标准号：GB/T 1553-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1979-05-26

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：江莉、杨旭

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

标准摘要

本标准代替GB/T1553-1997《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。
本标准与原标准相比,主要有如下变化:
---新增加少子寿命值的测量下限范围;
---删除了有关斩切光的内容;
---本标准将GB/T1553-1997中第7章试剂和材料和第8章测试仪器并为第6章测量仪器;
---本标准增加了术语章和体寿命的解释;
---本标准在干扰因素章增加了对各干扰因素影响的消除方法。
本标准的附录A 为规范性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:江莉、杨旭。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。

替代情况

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采标情况

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