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硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
基本信息
标准号：YS/T 23-1992
发布时间：1992-03-09
实施时间：1993-01-01
首发日期：
起草人：吴耀芬、姚保纲、周康权
作废日期：2016-09-01
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
提出单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究
起草单位：上海市有色金属总公司半导体材料i
发布部门：中国有色金属工业总公司
标准简介
本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法本标 准 适 用于在,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错，其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的)，或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um.
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