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硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法现行

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

标准号：GB/T 4058-2009

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基本信息

标准号：GB/T 4058-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1983-12-20

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：何兰英、王炎、张辉坚、刘阳

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

标准摘要

本标准代替GB/T4058-1995《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。
本标准与GB/T4058-1995相比,主要有如下变化:
---范围中增加了硅单晶氧化诱生缺陷的检验;
---增加了引用标准;
---增加了术语和定义章;
---将原标准中表1 四种常用化学抛光液配方删除,在第5章中对化学抛光液配比进行了修改,删除了乙酸配方;增加了铬酸溶液A 的配制、Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制;增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;
---采用氧化程序替代原标准中的氧化的操作步骤;增加了(111)面缺陷的显示方法及Wright腐蚀液的腐蚀时间,将(111)面和(100)面缺陷显示方法区分开了;(100)面缺陷的显示增加了Wright腐蚀液腐蚀方法;
---在缺陷观测的测点选取中增加了米字型测量方法。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB4058-1983、GB/T4058-1995;
---GB6622-1986、GB6623-1986。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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