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硅片弯曲度测试方法现行

Test methods for bow of silicon wafers

标准号：GB/T 6619-2009

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基本信息

标准号：GB/T 6619-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1985-06-17

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：刘玉芹、蒋建国、冯校亮、张静雯

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了硅单晶切割片?研磨片?抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法?本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度?本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制?本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度?

标准摘要

本标准修改采用SEMIMF5340706《硅片弯曲度测试方法》。
本标准与SEMIMF5340706相比,主要变化如下:
---本标准接触式测量方法格式按GB/T1.1格式编排;
---本标准根据我国实际生产情况增加了非接触式测量方法。
本标准代替GB/T6619-1995《硅片弯曲度测试方法》。
本标准与GB/T6619-1995相比,主要有如下变动:
---扩大了可测量硅片范围为直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于
250的圆形硅片;
---增加了引用文件、术语、意义用途、测量环境条件和干扰因素等章节;
---修改了仪器校正的内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。
本标准主要起草人:刘玉芹、蒋建国、冯校亮、张静雯。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为:
---GB6619-1986、GB/T6619-1995。

替代情况

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采标情况

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