非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 已作废
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage
标准号：YS/T 679-2008
基本信息
标准号：YS/T 679-2008
发布时间：2008-03-12
实施时间：2008-09-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义
作废日期：2019-04-01
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国有色金属标准化技术委员会
起草单位：有研半导体材料股份有限公司
归口单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布部门：国家发展和改革委员会
标准简介
本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。本标准与SEMI MF 391-1106相比主要有如下变化：———标准格式按GB/T 1.1要求编排；———将SEMI MF 391-1106中的部分注转换为正文；———将SEMI MF 391-1106中部分内容进行了编排。
标准摘要
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本标准修改采用SEMIMF391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。 本标准与SEMIMF391-1106相比主要有如下变化: ---标准格式按GB/T1.1要求编排; ---将SEMIMF391-1106中的部分注转换为正文; ---将SEMIMF391-1106中部分内容进行了编排。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。 本标准由有研半导体材料股份有限公司负责起草。 本标准主要起草人:孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义。 |
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