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[GB/T 37385-2019] 硅中氯离子含量的测定 离子色谱法[现行]
发布时间：2019-03-25
实施时间：2020-02-01
本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量..
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[GB/T 35306-2017] 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法[现行]
发布时间：2017-12-29
实施时间：2018-07-01
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。 本标准适用于室温电阻..
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[GB/T 35309-2017] 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程[现行]
发布时间：2017-12-29
实施时间：2018-07-01
本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。..
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[GB/T 17170-2015] 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法[现行]
发布时间：2015-12-10
实施时间：2016-07-01
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·..
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[GB/T 19199-2015] 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法[现行]
发布时间：2015-12-10
实施时间：2016-07-01
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106Ω·cm 的非掺..
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[GB/T 24578-2015] 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法[现行]
发布时间：2015-12-10
实施时间：2017-01-01
1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅..
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[GB/T 32277-2015] 硅的仪器中子活化分析测试方法[现行]
发布时间：2015-12-10
实施时间：2017-01-01
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[GB/T 32281-2015] 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法[现行]
发布时间：2015-12-10
实施时间：2017-01-01
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。?本标准..
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[YS/T 1059-2015] 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法[现行]
发布时间：2015-04-30
实施时间：2015-10-01
本标准规定了硅外延用三氯氢硅中总碳含量的气相色谱测定方法。本标准适用于硅外延用三氯氢硅中总碳含量的测..
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[YS/T 1060-2015] 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法[现行]
发布时间：2015-04-30
实施时间：2015-10-01
本标准规定了硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷（包括二氯二氢硅、四氯化硅）含量的气相色谱测定方法。本标准适..
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[YS/T 980-2014] 高纯三氧化二镓杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法[现行]
发布时间：2014-10-14
实施时间：2015-04-01
本标准规定了高纯三氧化二镓中杂质元素含量的测定方法。 本标准适用于高纯三氧化二镓中钠、镁、钙、钛、钒..
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[YS/T 981.1-2014] 高纯铟化学分析方法 镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌、砷、银、镉、锡、铊、铅的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法[现行]
发布时间：2014-10-14
实施时间：2015-04-01
本部分规定了用高质量分辨率辉光放电质谱法测定99.999%以上高纯铟中镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌..
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[YS/T 34.1-2011] 高纯砷化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）测定高纯砷中杂质含量[现行]
发布时间：2011-12-20
实施时间：2012-07-01
本标准规定了高纯砷中金属杂质含量的测定方法，采用电感耦合等离子质谱法测定砷中镁、铬、镍、铜、锌、银、..
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[YS/T 34.2-2011] 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量[现行]
发布时间：2011-12-20
实施时间：2012-07-01
本标准规定了高纯砷中硒含量的测定方法。本标准适用于砷(99.999%)中硒含量的测定。测定范围: 0..
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[YS/T 34.3-2011] 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量[现行]
发布时间：2011-12-20
实施时间：2012-07-01
本标准规定了高纯砷中硫含量的测定方法。本标准适用于砷(99.999%)中硫含量的测定。测定范围: 0..
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[GB/T 26067-2010] 硅片切口尺寸测试方法[现行]
发布时间：2011-01-10
实施时间：2011-10-01
本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于..
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[GB/T 26070-2010] 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法[现行]
发布时间：2011-01-10
实施时间：2011-10-01
本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。本标准适用于GaAs、InP(GaP..
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[GB/T 26074-2010] 锗单晶电阻率直流四探针测量方法[现行]
发布时间：2011-01-10
实施时间：2011-10-01
本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点..
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[YS/T 226.9-2009] 硒化学分析方法 第9部分：铁量的测定 火焰原子吸收光谱法[现行]
发布时间：2009-12-04
实施时间：2010-06-01
本部分规定了硒中铁量的测定方法。本部分适用于硒中铁量的测定。测定范围：0.0005%～0.06%。
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[YS/T 226.1-2009] 硒化学分析方法 第1部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法[现行]
发布时间：2009-12-04
实施时间：2010-06-01
本部分规定了硒中铋量的测定方法。本部分适用于硒中铋量的测定。测定范围：0.0002%～0.010%。
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