太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法 现行
Test method for measuring oxygen,carbon,boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock—Secondary ion mass spectrometry
标准号：GB/T 32281-2015
基本信息
标准号：GB/T 32281-2015
发布时间：2015-12-10
实施时间：2017-01-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：薛抗美、夏根平、肖宗杰、盛之林、范占军、蒋建国、林清香、徐自亮、王泽林、宋高杰、刘国霞
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：金属材料化学分析
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、新特能源股份有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。?本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2%（即＜1×10??20? atoms/cm?3），检测下限分别为氧含量≥5×10??16? atoms/cm?3、碳含量≥1×10??16? atoms/cm?3、硼含量≥1×10??14? atoms/cm?3和磷含量≥2×10??14? atoms/cm?3。四种元素体含量的测定可使用配有铯一次离子源的SIMS仪器一次完成。
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