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标准编号
标准名称
发布部门
发布日期
状态
BIS IS 14901:Part 8:2020
Semiconductor Devices — Discrete Devices Part 8 Field-Effect Transistors ( Second Revision )
Bureau of ..
2020-03-08
现行
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
Internatio..
2020-03-08
现行
IEC 60747-7:2010
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
Internatio..
2020-03-08
现行
BIS IS 14901:Part 7:2020
Semiconductor Devices — Discrete Devices Part 7 Bipolar Transistors ( First Revision )
Bureau of ..
2020-03-08
现行
IEC 60747-7 Ed. 3.0
Semiconductor devices - Discrete devices Part 7: Bipolar transistors (IEC 60747-7:2010 )
Internatio..
2020-03-08
现行
BIS IS 14901-7:2010
Semiconductor Devices - Discrete Devices And Integrated Circuits - Part 7: Bipolar Transistors
Bureau of ..
2020-03-08
被替代
BIS IS 14901-7:2001
Semiconductor Devices - Discrete Devices And Integrated Circuits - Part 7: Bipolar Transistors
Bureau of ..
2020-03-08
被替代
BIS IS 14901-1:2001
Semiconductor Devices - Discrete Devices And Integrated Circuits - Part 1: General
Bureau of ..
2020-03-08
被替代
IEC 60747-8 Ed. 3.0
Semiconductor devices - Discrete devices Part 8: Field-effect transistors
Internatio..
2020-03-08
现行
ASTM F996-11(2018)
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–Voltage Characteristics
American S..
2018-03-01
现行
KS C IEC 60747-7:2017
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7:Bipolar transistors
Korean Sta..
2017-05-30
废止
KS C IEC 60747-4:2017
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4:Microwave diodes and transistors
Korean Sta..
2017-05-30
废止
IEC 60747-4 Amd.1 Ed. 2.0
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices Part 4: Microwave diodes and transistors
Internatio..
2017-01-30
现行
IEC 60747-4 Ed. 2.1
Semiconductor devices - Discrete devices Part 4: Microwave diodes and transistors
Internatio..
2017-01-30
现行
SS EN 60191-4 Ed. 2 (2014)
Mechanical Standardization Of Semiconductor Devices - Part 4: Coding System And Classification Into Forms Of Package Outlines For Semiconductor Device Packages
Standardis..
2014-05-14
现行
BS IEC 60747-8:2010
Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors
British St..
2011-06-30
现行
BS IEC 60747-7:2010
Semiconductor devices. Discrete devices. Bipolar transistors
British St..
2011-02-28
现行
ASTM F996-11
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
American S..
2011-01-01
被替代
NEN IEC 60747-8:2011
Semiconductor Devices - Discrete Devices - Part 8: Field-Effect Transistors
Nederlands..
2011-01-01
现行
NEN IEC 60747-7:2011
Semiconductor Devices - Discrete Devices - Part 7: Bipolar Transistors
Nederlands..
2011-01-01
现行
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