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[SJ/T 11393-2009] 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范[现行]
发布时间：2009-11-17
实施时间：2010-01-01
主要规定了质量保证程序、试验/检验项目及方法等
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[SJ/T 11398-2009] 功率半导体发光二极管芯片技术规范[现行]
发布时间：2009-11-17
实施时间：2010-01-01
主要规定了功率半导体发光二极管芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量..
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[SJ/T 11399-2009] 半导体发光二极管芯片测试方法[现行]
发布时间：2009-11-17
实施时间：2010-01-01
主要规定了电学参数、热学参数、色度学参数以及静电放电敏感性测试等主要性能参数的测试方法。
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[SJ/T 11401-2009] 半导体发光二极管产品系列型谱[现行]
发布时间：2009-11-17
实施时间：2010-01-01
本标准规定了半导体发光二极管产品的标准系列和品种，以及选择和应用的导则。本标准适用于可见光和白光半导..
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[GB/T 15529-1995] 半导体发光数码管空白详细规范[现行]
发布时间：1995-04-06
实施时间：1995-01-01
本空白详细规范规定了制定半导体发光数码管详细规范的基本原则。制定该规范范围内的所有详细规范应尽可能与..
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[GB/T 12561-1990] 发光二极管空白详细规范(可供认证用)[已作废]
发布时间：1990-12-06
实施时间：1991-10-01
本空白详细规范规定了制订发光二极管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细..
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