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半导体分立器件２ＤＷ１４～１８型低噪声硅电压基准二极管详细规范现行

Semiconductor discrete device-Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for Type 2DW14～18

标准号：SJ 20068-1992

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基本信息

标准号：SJ 20068-1992

发布时间：1992-11-19

实施时间：1993-05-01

首发日期：

出版单位：电子工业出版社查看详情>

起草人：王董文、于志贤

出版机构：电子工业出版社

标准分类：技术管理

提出单位：中国电子工业总公司科技质量局

起草单位：中国电子技术标准化研究所和杭州无线电二厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中国电子工业总公司

标准简介

本规范规定了2DWl4~l8型低噪声低硅电压基准二极管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和ＧｃＴ）.

替代情况

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半导体分立器件 ２ＤＷ１４～１８型低噪声硅电压基准二极管详细规范 现行