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半导体分立器件３ＤＧ９１８型ＮＰＮ硅超高频小功率晶体管详细规范现行

Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918

标准号：SJ 20175-1992

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基本信息

标准号：SJ 20175-1992

发布时间：1992-11-19

实施时间：1993-05-01

首发日期：

出版单位：电子工业出版社查看详情>

起草人：王长福、长宗国、任继利、谢佩兰

出版机构：电子工业出版社

标准分类：技术管理

提出单位：中国电子工业总公司科技质量局

起草单位：中国电子技术标准化研究所和国营九七零厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中国电子工业总公司

标准简介

本规范规定了3DG9l8型NPN硅超高频小功率晶体管(以某侧箍器件)的详细婆$b该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级).

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