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半导体分立器件２ＣＷ２９７０～３０１５型硅电压调整二极管详细规范现行

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970～3015

标准号：SJ 20186-1992

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基本信息

标准号：SJ 20186-1992

发布时间：1992-11-19

实施时间：1993-05-01

首发日期：

出版单位：电子工业出版社查看详情>

起草人：于志贤、刘东才

出版机构：电子工业出版社

标准分类：技术管理

提出单位：中国电子工业总公司科技质量局

起草单位：中国电子技术标准化研究所和国营八七三厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中国电子工业总公司

标准简介

本规范规定了2CW2970~3015型的型（标准极性）硅电压调整二极管（以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉的规定，提供产品保证的三企等级(GP，GT和GCT级).

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半导体分立器件 ２ＣＷ２９７０～３０１５型硅电压调整二极管详细规范 现行