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半导体分立器件３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范现行

Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440

标准号：SJ 20176-1992

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基本信息

标准号：SJ 20176-1992

发布时间：1992-11-19

实施时间：1993-05-01

首发日期：

出版单位：电子工业出版社查看详情>

起草人：王长福、吴鑫奎、龚云

出版机构：电子工业出版社

标准分类：技术管理

提出单位：中国电子工业总公司科技质量局

起草单位：中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中国电子工业总公司

标准简介

本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

替代情况

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半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范 现行