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半导体分立器件ＦＨ１８１Ａ型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范现行

Detail specification for Type FH181A NPN silicon power Darlington transistor

标准号：SJ 20306-1993

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基本信息

标准号：SJ 20306-1993

发布时间：1993-05-11

实施时间：1993-07-01

首发日期：

出版单位：电子工业出版社查看详情>

起草人：蔡仁明、张滨

出版机构：电子工业出版社

标准分类：技术管理

起草单位：电子部工业标准化研究所

归口单位：中国电子工业总公司

发布部门：中华人民共和国电子工业部

标准简介

本规范规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。

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半导体分立器件 ＦＨ１８１Ａ型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范 现行