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半导体分立器件３ＤＤ６型功率晶体管详细规范现行

Semiconductor discrete device-Detail specification for Type 3DD6 power transistor

标准号：SJ 20183-1992

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基本信息

标准号：SJ 20183-1992

发布时间：1992-11-19

实施时间：1993-05-01

首发日期：

出版单位：电子工业出版社查看详情>

起草人：蔡仁明、任慧敏、周志坤、罗德炎

出版机构：电子工业出版社

标准分类：技术管理

起草单位：中国电子技术标准化研究所

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中国电子工业总公司

标准简介

本规范规定了3DD6B~I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

替代情况

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引用标准

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