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碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 现行
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
标准号：GB/T 31351-2014
基本信息
标准号：GB/T 31351-2014
发布时间：2014-12-31
实施时间：2015-09-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属无损检验方法
ICS分类：金属材料的其他试验方法
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
标准简介
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。 本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
标准摘要
|
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。 本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲。 |
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