污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第2部分：交流系统用瓷和玻璃绝缘子 现行
Selection and dimensioning of high-voltage insulators intended for use in polluted conditions—Part 2:Ceramic and glass insulators for a.c.systems
标准号：GB/T 26218.2-2010
基本信息
标准号：GB/T 26218.2-2010
发布时间：2011-01-14
实施时间：2011-07-01
首发日期：1985-11-19
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：李大楠、姚君瑞、舒立春、梁曦东、蒋兴良、杨迎建、吴光亚、宿志一、范建斌、肖勇、陆洲、杨明、董刚、何勇、王卫国、石玉秉、张继军、叶自强、王云鹏
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 绝缘子
ICS分类：绝缘子
提出单位：中国电器工业协会
起草单位：西安高压电器研究院有限责任公司西安电瓷研究所、重庆大学、清华大学、国网电力科学研究院、中国电力科学研究院、南方电网超高压输电公司、苏州电瓷厂有限公司、唐山高压电瓷有限公司、NGK唐山电瓷有限公司、自贡赛迪维尔有限公司、西安西电高压电瓷有限责任公司等
归口单位：全国绝缘子标准化委员会(SAC/TC 80)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国绝缘子标准化委员会(SAC/TC 80)
标准简介
GB/T26218的本部分适用于污秽条件下交流系统用瓷和玻璃绝缘子的选择和尺寸确定。本部分规定了所设定绝缘子在一定污秽环境下得出其可能性能的判断方法的特定导则和原理。GB/T26218.1适用于本部分。本部分的结构基础以及方法在GB/T26218.1有详细的说明。本部分提供给使用者的目的在于:● 从现场污秽度(SPS)等级确定参考统一爬电比距(USCD);● 评定各种绝缘子外形的适宜性;● 对RUSCD就绝缘子形状、尺寸和位置等实施校正以确定必需的USCD;● 如有要求,确定验证所选取绝缘子性能的适当的试验方法和参数。
标准摘要
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GB/T26218《污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定》分为5个部分: ———第1部分:定义、信息和一般原则 ———第2部分:交流系统用瓷和玻璃绝缘子 ———第3部分:交流系统用聚合物绝缘子 ———第4部分:直流系统用瓷和玻璃绝缘子 ———第5部分:直流系统用聚合物绝缘子 本部分为GB/T26218的第2部分。 本部分修改采用了IEC/TS60815-2:2008《污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第2部分:交流系统用瓷和玻璃绝缘子》(英文版)。 本部分与IEC/TS60815-2相比,在8.1中增加了双层伞外形,在图中增加了示出双层伞盘形悬式外形的图7,将IEC/TS60815-2中交替伞中的三层伞盘形悬式与双层伞盘形悬式列入同一类型。 考虑到我国国情,在采用IEC/TS60815-1:2008时,本部分还作了一些修改。有关技术性差异已编入正文并在它们所涉及的条款的页边空白处用垂直单线(︱)标识。在附录A 中给出了这些技术性差异及其原因的一览表以供参考。 为便于使用,本部分还做了下列编辑性修改: a) “本技术规范”一词改为“本部分”; b) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”; c) 删除IEC/TS60815-1:2008的前言; d) 将3.2的编号改为3.1.1,将3.3的编号改为3.1.2,将3.4的编号改为3.2。 除上述d)中的编辑性修改和增加了附录A 外,本部分其余章条编号和IEC/TS60815-2:2008一致。 第 1部分和本部分涵盖了GB/T5582—1993和所有的技术内容。本部分与GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相比,相关的技术内容变化如下:本部分规定了RUSCD的确定方法和较全面的对其校正的方法。GB/T5582—1993和GB/T16434—1996虽然都规定了爬电比距分级数值(与本部分规定的RUSCD 意义相同),但均未规定按外形适应性、外形参数、以及按海拔、绝缘子直径校正爬电比距的方法。 本部分规定了较全面的人工污秽试验参数。GB/T5582—1993虽然规定了人工污秽耐受值(与本部分规定的RUSCD意义相同),但仅涉及了固体层法,未规定盐雾法。而且在固体层法中只考虑了ESDD,未考虑NSDD。GB/T16434—1996未规定人工污秽试验参数。 GB/T26218的第1部分与GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相关的技术内容变化见该部分的前言。 本部分和第1部分代替GB/T5582—1993《高压电力设备外绝缘污秽等级》、GB/T16434—1996《高压架空线路和发电厂、变电所环境污秽分级及外绝缘选择标准》。 本部分的附录A 为资料性附录。 本部分由中国电器工业协会提出。 本部分由全国绝缘子标准化委员会归口(SAC/TC80)。 本部分起草单位:西安高压电器研究院有限责任公司西安电瓷研究所、重庆大学、清华大学、国网电力科学研究院、中国电力科学研究院、南方电网超高压输电公司、苏州电瓷厂有限公司、唐山高压电瓷有限公司、NGK唐山电瓷有限公司、自贡赛迪维尔有限公司、西安西电高压电瓷有限责任公司、南京电气(集团)有限公司、大连电瓷有限公司、浙江电力试验研究院。 本部分主要起草人:李大楠、姚君瑞、舒立春、梁曦东、蒋兴良、杨迎建、吴光亚、宿志一、范建斌、肖勇、陆洲、杨明、董刚、何勇、王卫国、石玉秉、张继军、叶自强、王云鹏。 |
标准目录
| 前言 Ⅰ 1 范围和目的 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义、缩略语 1 4 原理 2 5 材料 2 6 现场污秽度的测定 2 7 参考统一爬电比距(RUSCD)的确定 3 8 外形的选择 3 9 外形参数的核对 8 10 RUSCD的校正 11 11 需求的最小公称爬电距离的确定 12 12 试验验证 12 附录A (资料性附录) 本部分与IEC/TS60815-2:2008的技术差异及其原因 14 参考文献 15 |
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