当前位置： 首页 > 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法

硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法现行

Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

标准号：GB/T 19444-2004

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：GB/T 19444-2004

发布时间：2004-02-05

实施时间：2004-07-01

首发日期：2004-02-05

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：蒋建国、屠妹英、贺东江、章云杰

出版机构：中国标准出版社

标准分类：金属无损检验方法

ICS分类：绝缘流体综合

提出单位：中国有色金属工业协会

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法 现行