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碳化硅单晶片平整度测试方法
碳化硅单晶片平整度测试方法 现行
Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
标准号：GB/T 32278-2015
基本信息
标准号：GB/T 32278-2015
发布时间：2015-12-10
实施时间：2017-01-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属物理性能试验方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
起草单位：北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
标准简介
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm,厚度0.13mm~1mm 碳化硅单晶抛光片平整度的测试。
标准摘要
|
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。 本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。 |
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