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光伏电池用硅材料补偿度测量方法
光伏电池用硅材料补偿度测量方法 现行
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
标准号：GB/T 29850-2013
基本信息
标准号：GB/T 29850-2013
发布时间：2013-11-12
实施时间：2014-04-15
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 元素半导体材料
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
标准简介
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
标准摘要
|
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。 本标准主要起草人:董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。 |
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