硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 现行
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
标准号：GB/T 25188-2010
基本信息
标准号：GB/T 25188-2010
发布时间：2010-09-26
实施时间：2011-08-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 基础标准与通用方法
ICS分类：化学分析
提出单位：全国微束分析标准化技术委员会
起草单位：中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国微束分析标准化技术委员会
标准简介
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X 射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
标准摘要
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本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口。 本标准起草单位:中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。 本标准起草人:刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美。 |
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