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碳化硅外延片表面缺陷测试方法
基本信息
标准号：T/IAWBS 002-2017
发布时间：2017-12-20
实施时间：2017-12-31
首发日期：
出版单位：中国质检出版社查看详情>
起草人：钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲
出版机构：中国质检出版社
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司等
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
标准简介
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。
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