
Detail specification for electronic components Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor
标准号:SJ/T 11226-2000
基本信息
标准号:SJ/T 11226-2000
发布时间:2000-08-16
实施时间:2000-10-01
首发日期:
起草人:
标准分类: 半导体三极管
ICS分类:三极管
起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所
标准简介
本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管,它是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的,符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》的II类要求。本规范引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管》、GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T 4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》。
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