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氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 现行
Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
标准号：GB/T 32189-2015
基本信息
标准号：GB/T 32189-2015
发布时间：2015-12-10
实施时间：2016-11-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属物理性能试验方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)
起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC2
标准简介
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10nm 的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。
标准摘要
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本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。 本标准主要起草人:刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科。 |
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