通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法已废止

Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

标准号：SJ/T 10627-1995

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基本信息

标准号：SJ/T 10627-1995

发布时间：1995-04-22

实施时间：1995-10-01

首发日期：

出版单位：电子工业部标准化研究查看详情>

起草人：何秀坤、汝琼娜、李光平、段曙光

作废日期：2010-01-20

出版机构：电子工业部标准化研究

标准分类：技术管理

起草单位：电子工业部第46研究所

归口单位：电子工业部标准化研究所

发布部门：中华人民共和国电子工业部

标准简介

本标准规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω .CM 的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一温度或双温度。

替代情况

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