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碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
基本信息
标准号：T/IAWBS 003-2017
发布时间：2017-12-20
实施时间：2017-12-31
首发日期：
出版单位：中国质检出版社查看详情>
起草人：冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
出版机构：中国质检出版社
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
标准简介
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
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