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硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法现行

Practice for shallow etch pit detection on silicon

标准号：GB/T 26066-2010

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基本信息

标准号：GB/T 26066-2010

发布时间：2011-01-10

实施时间：2011-10-01

首发日期：2011-01-10

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：田素霞、张静雯、王文卫、周涛

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

标准简介

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω·cm。

标准摘要

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。
本标准主要起草人:田素霞、张静雯、王文卫、周涛。

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