电子级多晶硅 现行
Electronic-grade polycrystalline silicon
标准号：GB/T 12963-2014
基本信息
标准号：GB/T 12963-2014
发布时间：2014-12-31
实施时间：2015-09-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 元素半导体材料
ICS分类：半导体材料
提出单位：半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
起草单位：峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司
归口单位：半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。
标准摘要
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本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替 GB/T12963—2009《硅多晶》。本标准与 GB/T12963—2009相比,主要有如下变动: ———增加引用国家标准 GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(见第2章); ———增加了多晶硅的技术参数,包括施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的要求(见表1); ———不同等 级 多 晶 硅 的 碳 浓 度 由 <1.5×1016atoms/cm3、<2×1016 atoms/cm3、<2×1016 atoms/cm3修订为<4.0×1015atoms/cm3、<1.0×1016atoms/cm3、<1.5×1016atoms/cm3(见表1)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。 本标准起草人:詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。 |
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