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锑化铟多晶、单晶及切割片现行

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

标准号：GB/T 11072-2009

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基本信息

标准号：GB/T 11072-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1989-03-31

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：王炎、何兰英、张梅

出版机构：中国标准出版社

标准分类：化合物半导体材料

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

标准摘要

本标准代替GB/T11072-1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。
本标准与GB/T11072-1989相比,主要有如下变化:
---将原标准中直径10mm~50mm 全部改为10mm~200mm;
---在原标准的基础上增加了直径>50mm,厚度不小于1200μm,厚度偏差±40μm;
---将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm~50mm 全部改为≥30mm~200mm;
---在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200 mm 的切割片直径、参考面长度及其偏差;
---将原标准中的附录A 去掉,增加引用标准GB/T11297;
---增加了订货单(或合同)内容一章内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:王炎、何兰英、张梅。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11072-1989。

替代情况

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采标情况

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