当前位置： 首页 > 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

碳化硅单晶材料电学参数测试方法现行

Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material

标准号：SJ 20858-2002

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：SJ 20858-2002

发布时间：2002-12-12

实施时间：2003-05-01

首发日期：

出版单位：工业电子出版社查看详情>

起草人：

出版机构：工业电子出版社

标准分类：元素半导体材料

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六所

标准简介

本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

碳化硅单晶材料电学参数测试方法 现行