微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 现行
Test methods of precious metals pastes used for microelectronics Determination of sheet resistance
标准号：GB/T 17473.3-2008
本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下变动：———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定；———增加低温固化型浆料方阻的测定方法；———原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”；———测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为０ｍｍ～５ ｍｍ，精度为０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型浆料：范围为０ｍｍ～５ｍｍ，精度为０．００１ｍｍ。
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本标准是对GB/T17473-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订,分为7个部分: ---GB/T17473.1-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定; ---GB/T17473.2-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定; ---GB/T17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定; ---GB/T17473.4-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试; ---GB/T17473.5-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定; ---GB/T17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定; ---GB/T17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定。 本部分为GB/T17473-2008的第3部分。 本部分代替GB/T17473.3-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。 本部分与GB/T17473.3-1998相比,主要有如下变动: ---将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定; ---增加低温固化型浆料方阻的测定方法; ---原标准的原理中,将浆料用丝网印刷在陶瓷基片,经过烧结后,膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……修改为:将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上,经过烧结或固化后,膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下; ---测厚仪修改为:光切显微测厚仪用于烧结型浆料:范围为0mm~5 mm,精度为0.001 mm。 千分尺用于固化型浆料:范围为0mm~5mm,精度为0.001mm。 本部分的附录A 为规范性附录。 本部分由中国有色金属工业协会提出。 本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。 本部分主要起草人:金勿毁、刘继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: ---GB/T17473.3-1998。 |
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