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碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法现行

Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching

标准号：GB/T 30868-2014

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基本信息

标准号：GB/T 30868-2014

发布时间：2014-07-24

实施时间：2015-02-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川

出版机构：中国标准出版社

标准分类：化合物半导体材料

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

标准摘要

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。

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