当前位置： 首页 > 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法

硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法现行

Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry

标准号：YS/T 839-2012

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：YS/T 839-2012

发布时间：2012-11-07

实施时间：2013-03-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：高英、武斌、孙燕、徐继平、徐自亮、黄黎

出版机构：中国标准出版社

标准分类：贵金属及其合金

ICS分类：其他有色金属及其合金

起草单位：中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部

主管部门：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

标准简介

本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。

标准摘要

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司。
本标准主要起草人:高英、武斌、孙燕、徐继平、徐自亮、黄黎。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法 现行