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半导体中深能级的瞬态电容测试方法现行

Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques

标准号：SJ/T 10482-1994

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基本信息

标准号：SJ/T 10482-1994

发布时间：1994-04-11

实施时间：1994-10-01

首发日期：

出版单位：电子工业部标准化研究查看详情>

起草人：刘春香，张若愚，段曙光

出版机构：电子工业部标准化研究

标准分类：技术管理

起草单位：电子工业部第四十六研究所

归口单位：电子工业部标准化研究所

发布部门：中华人民共和国电子工业部

标准简介

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

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