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Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法现行

Test method for lattice constant of Ⅲ-nitride epitaxial layers

标准号：GB/T 30654-2014

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基本信息

标准号：GB/T 30654-2014

发布时间：2014-12-31

实施时间：2015-09-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽

出版机构：中国标准出版社

标准分类：金属物理性能试验方法

ICS分类：金属材料无损检测

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

起草单位：中国科学院半导体研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了利用高分辨 X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO 等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga,In,Al)N 单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。

标准摘要

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。

替代情况

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