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半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法现行

Junction-to-case thermal resistance transient test method of semiconductor devices

标准号：DB52/T 1104-2016

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基本信息

标准号：DB52/T 1104-2016

发布时间：2016-04-01

实施时间：2016-10-01

首发日期：

起草人：李明贵、禹忠、付悦、岳萍、刘德军、钟健思、曹珩、章俊华、林小文、邵建平、马静

标准分类：半导体分立器件综合

ICS分类：半导体器件综合

提出单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院

起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司

归口单位：贵州省质量技术监督局

发布部门：贵州省质量技术监督局

主管部门：贵州省质量技术监督局

标准简介

本标准规定了具有单一热流路径的半导体器件结-壳热阻Rth(J-C)的瞬态测试方法。本标准适用于具有单一热流路径的半导体器件。

标准摘要

本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
请注意：本标准的某些内容可能涉及专利内容，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准使用重新起草法修改采用JESD 51-14 2010《测量具有单一热流路径的半导体器件结壳热阻的瞬态双界面测试法》。
本标准与JESD 51-14 2010相比，在结构上增加了一章（4），删除了一章（7）。
本标准与JESD 51-14 2010的技术性差异及其原因如下：
——将JESD 51-14 2010第4.2.1瞬态双界面测量原理进行精简后，写入本标准5.4瞬态双界面测量中，以增加可操作性；
——删除了JESD 51-14 2010 第4.2.2温度控制散热器部分，以适应我国的技术条件；
——将JESD 51-14 2010第4.2部分定义的无/有导热硅脂与热油两种测试状态，重新定义为低/高导热两种测试状态，以适应我国的技术条件；
——根据JESD 51-14 2010测试原理，本标准增加了测试原理图、测试时序图，以增加可操作性；
——本标准对两条瞬态热阻抗曲线的分离点确认和结-壳热阻的计算只规定原理，不限制实现方法，以适应我国的技术条件。
本标准做了下列编辑性修改：
——将标准名称修改为《半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法》；
——将JESD 51-14 2010 第5章调整为本标准资料性附录A；
——关于规范性引用文件，调整如下：
删除了JESD 51-14 2010第2章[N1][N2][N3][N4][N5][N6][N7]；
增加引用了GB/T 11499；
增加引用了GB/T 14862；
——删除了JESD 51-14 2010附录A、B、C、D。
本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院提出。
本标准由贵州省质量技术监督局归口。
本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。
本标准主要起草人：李明贵、禹忠、付悦、岳萍、刘德军、钟健思、曹珩、章俊华、林小文、邵建平、马静。

替代情况

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