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硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法已作废

Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy

标准号：GB/T 14145-1993

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基本信息

标准号：GB/T 14145-1993

发布时间：1993-02-06

实施时间：1993-10-01

首发日期：1993-02-06

起草人：

作废日期：2005-10-14

标准分类：金相检验方法

ICS分类： 29.040.30

起草单位：上海有色金属研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布部门：国家技术监督局

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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