欢迎来到寰标网! 客服QQ:772084082 加入会员

半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范 现行

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor

标准号:SJ 50033/154-2002

获取原文 如何获取原文?问客服 获取原文,即可享受本标准状态变更提醒服务!
基本信息

标准号:SJ 50033/154-2002
发布时间:2002-10-30
实施时间:2003-03-01
首发日期:
出版单位:中国电子工业出版社查看详情>
起草人:高林颖、王于辉、催波
出版机构:中国电子工业出版社
标准分类: 半导体分立器件综合
提出单位:中华人民共和国信息产业部
起草单位:中国电子科技集团公司第十三所
归口单位:信息产业部电子第四研究所
发布部门:中华人民共和国信息产业部

标准简介

本规范规定了3DG251超高频低噪声晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构
申请入驻

暂未检测到相关机构,邀您申请入驻~

推荐认证机构
申请入驻

暂未检测到相关机构,邀您申请入驻~

推荐培训机构
申请入驻

暂未检测到相关机构,邀您申请入驻~