当前位置： 首页 > 半导体分立器件3DD159型低频大功率晶体管详细规范

半导体分立器件3DD159型低频大功率晶体管详细规范现行

Semiconductor discrete devices-Detail specification for Type 3DD159 low-frequency and high-power transistor

标准号：SJ 50033/130-1997

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：SJ 50033/130-1997

发布时间：1997-06-17

实施时间：1997-10-01

首发日期：

出版单位：中国电子工业出版社查看详情>

起草人：王保祯、蔡仁明

出版机构：中国电子工业出版社

标准分类： >>>>L5961

提出单位：中华人民共和国电子工业部

起草单位：第八七七厂

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中华人民共和国电子工业部

标准简介

本标准适用于器件的研制、生产和采购。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

半导体分立器件3DD159型低频大功率晶体管详细规范 现行