当前位置： 首页 > 砷化镓单晶位错密度的测试方法

砷化镓单晶位错密度的测试方法即将实施

Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

标准号：GB/T 8760-2020

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：GB/T 8760-2020

发布时间：2020-09-29

实施时间：2021-08-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍

出版机构：中国标准出版社

标准分类：金属物理性能试验方法

ICS分类：金属材料试验

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

起草单位：有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。本标准适用于、面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2 。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

砷化镓单晶位错密度的测试方法 即将实施