
Trichlorosilane for silicon epitaxy—Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,arsenic,molybdenum and antimony content—Inductively coupled plasma mass spectrometric method
标准号:GB/T 29056-2012
基本信息
标准号:GB/T 29056-2012
发布时间:2012-12-31
实施时间:2013-10-01
首发日期:
出版单位:中国标准出版社查看详情>
起草人:郑华荣、刘新军、龚磊荣、张莉萍、黄和明、陈逸君、虞磊
出版机构:中国标准出版社
标准分类: 电子技术专用材料
ICS分类:
31.030
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位:南京中锗科技股份有限公司、南京大学现代分析中心、南京大学国家863计划新材料MO 源研究开发中心
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
标准简介
本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。本标准适用于硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。
标准摘要
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:南京中锗科技股份有限公司、南京大学现代分析中心、南京大学国家863计划新材料MO 源研究开发中心。 本标准主要起草人:郑华荣、刘新军、龚磊荣、张莉萍、黄和明、陈逸君、虞磊。 |
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