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硅多晶已作废

Specification for polycrystalline silicon

标准号：GB/T 12963-2009

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基本信息

标准号：GB/T 12963-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1991-06-04

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：罗莉萍、张辉坚、王炎

作废日期：2015-09-01

出版机构：中国标准出版社

标准分类：元素半导体材料

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：峨眉半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

标准摘要

本标准修改采用SEMIM161103:2003《多晶硅规范》,主要差异如下:
---增加了技术参数,如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和n型少子寿命的等级要求;
---增加了硅多晶尺寸范围要求。
本标准代替GB/T12963-1996《硅多晶》。
本标准与GB/T12963-1996相比,主要有如下变动:
---基磷电阻率等级由300Ω·cm、200Ω·cm、100Ω·cm 修订为500Ω·cm、300Ω·cm、200Ω·cm;
---增加氧化夹层术语。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
本标准主要起草人:罗莉萍、张辉坚、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T12963-1991、GB/T12963-1996。

替代情况

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采标情况

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